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场效应管参数大全（常用场效应管参数大全对照表）

　　

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场效应管型号和参数

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场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。应管应管主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，大全大全对照简称MOS-FET）。场效参数常用场效参数

由多数载流子参与导电，应管应管也称为单极型晶体管。大全大全对照它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管的主要参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 ①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有：

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

场效应管有哪几种参数？

VDSS----最大-耐压

VDGR----栅漏耐压

VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)

VGSM---控制栅最大电压

ID---------漏极最大电流

tr----------最大工作频率(或叫响应速度)

RDS(on)--D/S导通电阻

使用者注意以上参数便行。

场效应管： 谁知道IRF3315、13n50ct的参数及代换元件？

您好：

①、这ⅠRF3315属于：N一M0SET功率场效应管其参数如：/耐压：150Ⅴ//电流：27A//功率：136W//

可直接用：ⅠRF3415型场效应管代换。

②、关于13N50T场效应管参数：/耐压：500Ⅴ//

/电流：13.4A//功率：190W// 向这个管可直接用

FQA13N50C代换。

ASEMI场效应管7N60的极限参数有哪些？

7N60极限参数：

（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额；

（2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额；

（3）PDSM，最大耗散功率，是指7N60性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管的实际功耗应小于PDSM，并有一定的余量。该参数通常会随着结温的升高而降低；

（4）VGS，最大栅源电压，当栅源之间的反向电流开始急剧增加时的电压值。结型MOS管正常工作时，栅极和源极之间的PN结处于反偏状态，电流过大，会发生击穿；

（5）Tj，最高工作结温，通常为150℃或175℃，在器件设计的工作条件下，必须避免超过此温度，并应保留一定的余量；

（6）TSTG，储存温度范围。

7N60除上述参数外，还有电极间电容（MOS管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。

7N60静态参数：

（1）V(BR)DSS，漏源击穿电压，是指当栅源电压VGS为0时，场效应管7N60所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数，工作电压施加到FET必须小于V(BR) DSS。它具有正温度特性。因此，该参数在低温下的值应作为安全考虑。

（2）RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N60导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；

（3）VGS(th)，开启电压（阈值电压）。当施加的栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏极区和源极区的表面反型层形成连通沟道。在应用中，在漏极短接的情况下，ID等于1mA时的栅极电压通常称为导通电压。这个参数一般会随着结温的升高而降低；

（4）IDSS，饱和漏源电流，栅极电压VGS=0且VDS为一定值时的漏源电流，一般为微安级。由于MOS管的输入阻抗较大，IGSS一般在纳安级。

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